快科技2月26日消息，美光宣布，基于最新1纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。
DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1、1、1这样的迭代顺序，越来越先进，其中1a比较接近20nm，1则接近10nm。
这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端工序。
不过美光没有透露使用了多少EUV光刻层，猜测目前只是在关键层上用EUV，否则就得多重曝光，增加时间和成本。
美光的1 DDR5单颗容量为16Gb(2GB)，可以轻松组成单条容量128GB的企业级产品，号称容量密度比1的再次增加30％，事实上之前每代提升工艺都能增加30％的密度。
它只需要1.1V的标准电压，就能达到9200MHz(严格来说是9200MT/s)的超高频率，而目前市面上常见的高频内存往往得1.35V甚至1.45V的高电压。
更低的电压不但更安全，还能节省功耗，号称比1工艺的最多降低20％。
目前，美光1 DDR5内存只在日本工厂生产，后续会逐步扩大产能，相关产品预计今年年中左右上市。
未来，美光在中国台湾的工厂也会引入EVU，并使用1工艺制造GDDR7显存、LPDDR 5X高频内存(最高9600MHz)。
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