英特尔18A工艺准备就绪 计划今年上半年开始流片

IT之家 2 月 23 日消息,英特尔昨天更新了其半导体 Foundry 相关页面的介绍,并宣布其“四年五个节点”(现在是四个节点了)计划中最后也是最为重要的 Intel 18A 工艺准备就绪,计划于今年上半年开始流片。

18A 制程的成熟标志着英特尔 IDM 2.0 战略的重大突破,同时被视为英特尔代工服务(IFS)重铸往日荣光的关键信号,对于已经退休的英特尔前 CEO Pat Gelsinger 来说绝对是好消息。

就目前已知信息,英特尔下一代移动处理器 Panther Lake 至少有一部分将基于 Intel 18A 工艺制造。

英特尔表示,Panther Lake 芯片计划于今年下半年发布并投产,不过 Intel 18A 初期产能有限,所以搭载该芯片的笔记本电脑预计要等到 2026 年才会大批量上市。

此外,英特尔将于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面处理器。这两款产品承载了英特尔复兴的希望,英特尔认为它们的到来将显著改善该公司的收入情况。

英特尔还计划在明年上半年推出的首款基于 Intel 18A 的服务器产品 Clearwater Forest(最初计划 2025 年发布)。英特尔表示,今年的主题是提高“至强”的市场竞争地位,从而努力缩小与竞争对手的差距。

说回 Intel 18A 工艺,英特尔称其采用了业界首创的 PowerVia 背面供电技术,以及 RibbonFET 全环绕栅极(GAA)晶体管技术,相较于 Intel 3 工艺密度提升 30%、单位功耗性能提升 15%。

据行业分析,其 SRAM 密度已与台积电 N2 制程持平,甚至在功耗和性能平衡把控方面更具竞争优势。

IT之家从官方获悉,PowerVia 背面供电技术通过将供电层与信号层分离,实现芯片密度和单元利用率提升 5%-10%。相比传统正面供电设计,其电阻压降(IR Drop)显著降低,在相同功耗条件下可实现最高 4% 的性能提升。

RibbonFET 全环绕栅极晶体管技术采用纳米带(Nanoribbon)结构,实现对电流的精确控制,可在芯片元件微缩化进程中有效降低漏电率,有效缓解高密度芯片的功耗问题。

英特尔表示,Intel 18A 技术作为 IFS 的核心竞争力,凭借多项突破性创新,将成为北美地区首个量产落地的 2nm 以下先进制程节点,为全球客户提供供应链多元化选择。

 
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